使用人工鑽石制程之砂輪(Wheel)，于Wafer晶背以研削方式移除矽層，經粗磨&細磨兩個階段將Wafer厚度研磨減薄至客戶需求厚度；

針對研磨厚度<120um需求産品增加精磨，即抛光工藝，以取得更好的加工面粗糙度，消除殘余應力提升強度。

高階工藝節點晶圓制造中隔離metal層的Low-k絕緣膜，因其機械強度低，若使用普通的切割刀進行切割加工，會發生Low-k膜剝落及側面隱裂的風險。這類産品，需要執行Laser Grooving (激光開槽)的方式去除Low-k膜以及相應的Metal層，保證後續切割刀切割品質；

晶圓制造中切割道Metal層中布有Cu層，因其延展性強，易造成切割刀包覆，影響切割品質。這類産品，需要執行Laser Grooving的方式去除Cu層，保證後續切割刀切割品質。

使用人工鑽石制程之切割刀，以高速切削之方式將晶圓依客戶所需Die size切割成單顆晶粒，便于後續取Die進行後制程；

切割壹般分爲單刀切割及雙刀切割；相對于單刀切割，雙刀切割第壹刀切透切割道Metal層的方式，將改善切割道材料對刀片的影響，從而提升切割品質，所以雙刀切割爲目前主流切割模式。

無塵車間等級：Class10，産能：100KKea/M

將切割完成的晶圓UV後，依客戶需求以頂針將Tape與Die頂起分離，再由吸嘴以真空吸附方式將Die取出，並置放于全新空Tape進行承載；

RW通過Ink & mapping兩種模式結合，將測試良品篩選挑出；

RW機台對每顆IC挑前挑後位置記錄，保證了産品的可追溯性；

全良品出貨的模式，保證了後制程的兼容性。

將挑出的Die，通過AOI全自動檢驗設備，分爲外觀良品及不良品；

AOI完成後生成AOI map，將良品不良品標示爲不同Bin code；挑揀設備使用該AOI map，將不良品篩選出來，産生最終良品部分待出貨；

晶圓外觀檢驗能力 0.5um。